汽車水泵是傳統(tǒng)內燃機汽車冷卻系統(tǒng)中的一個重要部件,它的主要作用是循環(huán)發(fā)動機冷卻液以保持發(fā)動機的工作溫度穩(wěn)定。在新能源汽車中,雖然沒有了傳統(tǒng)的內燃機,但水泵仍然扮演著重要的角色,尤其是在電動汽車(EVs)和插電式混合動力汽車(PHEVs)中。
新能源汽車中的水泵用途:1)電池組冷卻:2)電機及逆變器冷卻:3)熱管理系統(tǒng)集成:新能源汽車往往具備更加復雜的熱管理系統(tǒng),水泵作為其中的一部分,不僅可以用于冷卻,還可以用于加熱座艙(例如通過熱泵系統(tǒng)),以及預熱電池等。
綜上所述,盡管新能源汽車的動力系統(tǒng)與傳統(tǒng)燃油車不同,但水泵仍然是其熱管理系統(tǒng)中不可或缺的組成部分,對于保障車輛性能和延長關鍵部件的使用壽命具有重要作用。
- BLDC電機工作原理介紹
BLDC的基本工作原理是,當通電給其中一相定子繞組時,其產生的磁場與轉子產生的磁場之間互相影響,轉子便可以轉動起來。同時,通過位置傳感器得到電機位置信號,并把信號傳送給主控制器,然后根據轉子信號按照一定的順序開通或關斷功率管,使得 BLDC可以穩(wěn)定運行。
BLDC的工作原理圖如右圖所示,A、B、C三相定子繞組通過星型連接,并直接與三相逆變器的開關電路連接。Q1作為電池的防反接保護,三相逆變器包括里六個 MOSFET,上橋臂有 Q2、Q4、Q6,下橋臂有 Q3、Q5、Q7。
圖1?汽車水泵MOSFET驅動系統(tǒng)- SMT4005AHPDQ技術參數
- MOSFET控制方式
FOC矢量控制的基本過程為,第一步,通過主芯片的AD采樣模塊得到電機的三相定子電流,位置傳感器檢測到轉子所在的位置及其角度,然后把位置信號和角度信號用于坐標變換,對電流進行解耦。第二步,通過將Clark和Park變換來完成坐標系的轉換。第三步,將設定轉速與實際轉速反饋量之間的偏值進行 PI調節(jié),其輸出用于id和iq, 經過 PI調節(jié),其輸出的Vd和Vq相電壓經過 Revpark變換,得到Vα和Vβ相電壓。最后,利用SVPWM算法,產生PWM控制信號,對系統(tǒng)進行PI雙閉環(huán)控制。
圖2 FOC控制算法- 實物&測試波形
如右圖所示,BLDC電機滿載功率為70W,工作頻率為20KHZ,水泵為離心泵。
圖3?測試實物圖4 MOSFET Vds和Vgs電壓波形在汽車水泵電機驅動系統(tǒng)中,為了能夠順利的通過EMC實驗,一般在測試前,6個驅動MOSFET的驅動電壓Vgs波形、關斷電壓Vds波形,振鈴的幅值和頻率都要求越小越好。
- Vgs波形
在橋式電路中,Vgs波形振鈴的產生,主要有兩種根源。
圖5 dv/dt耦合回路而MOSFET寄生電容之間的關系如下:
因此,
這就意味著,Crss/Ciss的比例越小,Vgs的振鈴幅值就越小。SMT4005AHPDQ的Crss/Ciss的比值僅為2.5%。
MOSFET內部等效電路圖如下:
圖6 MOSFET內部寄生電容及其與電壓的關系- 根源2:驅動回路構成的RLC欠阻尼回路
- RLC組成串聯諧振電路,當R<2時,系統(tǒng)處于欠阻尼情況 ,在這種情況下,電路發(fā)生振蕩;
消除振鈴的方法:
- 增大驅動電阻R,使其工作在臨界阻尼;
Rg上限值:為防止MOS管關斷時產生很大的dV/dt使得MOS管再次誤開通。一般要求Rg≤Vth/(Cgd*dv/dt),dV/dt可以根據電路實際工作時MOS的D、S間電壓和mMOS管關斷時D、S電壓上升時間求得。
- MOSFET柵極的驅動PCB走線盡可能的短;
- 在GS端并聯一個nF級的瓷片電容;
在汽車水泵驅動電路中,大部分研發(fā)工程師都會做EMI優(yōu)化設計,在MOSFET D-S端預留RC snubber電路,以順利通過EMC實驗,參照《CISPR25》標準。
- EMI設計優(yōu)化
- SGT MOS開關速度較快,Qg通常比較小,關斷時,di/dt通常會DS電壓波形上形成振鈴,對系統(tǒng)的EMI造成一定的困擾。
- 為了減輕振鈴的影響,幫助客戶順利通過EMC試驗,通常會在MOS D-S端并聯RC snubber電路。
- RC snubber電路增加前后的波形對比:
- 在EMC實驗室,傳導輻射(150 kHz - 150 MHz)測試結果對比:
- 電機母線電壓,相電流波形
控制算法為FOC,相電流為正弦波,PID調節(jié)。
圖7?電機相電流&母線電壓波形圖8?實驗室測試波形- SVPWM控制下MOSFET開關狀態(tài)
電機相電壓波形
第一扇區(qū)PWM波形
- MOSFET溫升
MOSFET的溫升最高為54.7℃,器件整體損耗較小,所以溫升不高;在72%負載輸出時,系統(tǒng)整體效率超過90%。此外,BLDC電機應用,FOMg代表器件的整體損耗大小。
- PDFN5060封裝仿真—仿真環(huán)境
圖13 PCB Side View
-
仿真輸入
- 對兩個工作器件不斷施加1.5W負載,總功耗為3W;
- 環(huán)境溫度25?C;
- 氣流為自然靜態(tài);
- 瞬態(tài)熱仿真結構
- 仿真結果
圖15?“3”號MOSFET溫升
最高溫度:127.04?C
- 仿真結果:溫度上升過程(最高溫度)
審核編輯 黃宇
-
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