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      標(biāo)簽　>　外延片

      外延片

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      文章：26個(gè) 瀏覽：9667次 帖子：1個(gè)

      外延片技術(shù)

      ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)的應(yīng)用

      ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)的應(yīng)用

      實(shí)驗(yàn)名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：基于單注入模式，使用新型檢測(cè)系統(tǒng)獲取LED外延片的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向：LED外延片檢...

      2024-10-25 標(biāo)簽：led高壓放大器外延片 92 0

      外延片和擴(kuò)散片的區(qū)別是什么

      外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過(guò)程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過(guò)程： 外延片是通過(guò)在單晶硅片上生長(zhǎng)一層或多層半導(dǎo)體材料來(lái)制造...

      2024-07-12 標(biāo)簽：集成電路晶體管半導(dǎo)體制程 579 0

      外延片和拋光片區(qū)別在哪

      外延片和拋光片是兩種不同的半導(dǎo)體材料加工工藝，它們?cè)谥圃爝^(guò)程中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn)。本文將介紹外延片和拋光片的區(qū)別。 一、外延片的定義和制備方法 外延片...

      2024-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料金屬外延片 1026 0

      SiC外延片測(cè)試需要哪些分析

      SiC外延片測(cè)試需要哪些分析

      對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層...

      2023-08-05 標(biāo)簽：測(cè)試儀SiC紅外光譜 1889 0

      氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區(qū)別

      氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。

      2023-02-20 標(biāo)簽：集成電路晶體管氮化鎵 1.3萬(wàn) 0

      硅基氮化鎵外延片是什么 硅基氮化鎵外延片工藝

      氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

      2023-02-06 標(biāo)簽：氮化鎵外延片硅基氮化鎵 3835 0

      氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用

      氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...

      2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵外延片 5281 0

      光電子應(yīng)用推動(dòng)砷化鎵晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入新時(shí)代

      在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，作為最成熟的化合物半導(dǎo)體之一，GaAs無(wú)處不在，儼然成為每部智...

      2018-09-04 標(biāo)簽：光電子gaas外延片 4400 0

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      外延片資訊

      普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延片產(chǎn)線

      預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣，將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。

      2024-02-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅外延片 521 0

      半導(dǎo)體硅外延片制造商上海合晶上市

      上海合晶硅材料股份有限公司（簡(jiǎn)稱“上海合晶”，股票代碼：688584）近期在科創(chuàng)板成功上市，成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注于半導(dǎo)體硅外延片的研發(fā)與生產(chǎn)...

      2024-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅材料外延片 842 0

      上海合晶登陸科創(chuàng)板

      近日，上海合晶硅材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“上海合晶”，股票代碼：688584）在上海證券交易所科創(chuàng)板成功上市，標(biāo)志著這家專注于半導(dǎo)體硅外延片制造的領(lǐng)先...

      2024-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅材料外延片 489 0

      上海合晶登陸科創(chuàng)板，成為我國(guó)少數(shù)具備全流程半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的企業(yè)

      上海合晶此次募資總額高達(dá)13.9億元人民幣，這筆款項(xiàng)主要用于投資低阻單晶成長(zhǎng)及優(yōu)質(zhì)外延研發(fā)項(xiàng)目，增設(shè)優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，以及補(bǔ)充運(yùn)營(yíng)所需的流動(dòng)資...

      2024-02-18 標(biāo)簽：單晶功率器件外延片 596 0

      瀚天天成科創(chuàng)板IPO受理！碳化硅外延片收入三年漲近13倍，募資超35億擴(kuò)產(chǎn)

      瀚天天成科創(chuàng)板IPO受理！碳化硅外延片收入三年漲近13倍，募資超35億擴(kuò)產(chǎn)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）近日，瀚天天成電子科技（廈門(mén)）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：瀚天天成）科創(chuàng)板IPO成功獲上交所受理，保薦機(jī)構(gòu)為中金公司。 瀚天天成...

      2024-01-11 標(biāo)簽：ipo碳化硅外延片 3766 0

      中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)，一期投資19.3億元

      紫金山觀察消息顯示，該項(xiàng)目一期投資19.3億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)估新增年收入25億元，將形成8-12英寸硅外延片456萬(wàn)片/年，6-8英寸化合物外延片12...

      2023-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料外延片中電科 737 0

      不合格的碳化硅外延片如何再生重利用？

      不合格的碳化硅外延片如何再生重利用？

      此外，研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高，多片加工時(shí)對(duì)外延片的厚度的組合比較苛刻，并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理，則需要較長(zhǎng)的時(shí)間才能...

      2023-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅外延片 793 0

      碳化硅公司上半年難過(guò)盈利大關(guān)

      　在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，隨著越來(lái)越多的新參與者加入，碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)，如襯底、外延片、器件制造和應(yīng)用等，都有廠商進(jìn)行布局。

      2023-09-19 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1049 0

      上海合晶科創(chuàng)板IPO成功過(guò)會(huì)

      據(jù)數(shù)據(jù)顯示，上海合晶是中國(guó)少數(shù)具有晶體增長(zhǎng)、基板成型、外延增長(zhǎng)全過(guò)程生產(chǎn)能力的硅半導(dǎo)體硅外延片，主要產(chǎn)品是硅半導(dǎo)體硅外延片。公司致力于業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)的研發(fā)...

      2023-08-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體外延片 644 0

      西安郵電大學(xué)在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進(jìn)展

      氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。

      2023-03-13 標(biāo)簽：功率器件硅片外延片 586 0

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      外延片數(shù)據(jù)手冊(cè)

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